El cisne negro de los semiconductores: implicaciones estratégicas de la ruptura tecnológica china en litografía extrema

A comienzos de 2025, la revelación de un prototipo funcional de litografía ultravioleta extrema (EUV) en Shenzhen, liderado por el excientífico de ASML Lin Nan, ha materializado el «cisne negro» que la inteligencia occidental consideraba improbable a corto plazo. Este artículo analiza cómo China, bajo un esquema de «Proyecto Manhattan» estatal, ha logrado sortear el cerco de sanciones tecnológicas mediante rutas físicas alternativas (láseres de estado sólido/SSMB) en lugar de la mera replicación. Se examinan las consecuencias inmediatas de este hito con la erosión del «Escudo de Silicio» de Taiwán, la ineficacia de la política de contención estadounidense y la urgente necesidad de que Europa y España reevalúen su posición de autonomía estratégica ante un escenario de paridad tecnológica dual (civil-militar) que llega una década antes de lo previsto.

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